藤代研究室：ナノ電子デバイス

これまでコンピュータやインターネットの発展はSi（シリコン）デバイスの微細化による高速化によって支えられてきました。しかし2015年頃にはSiデバイスの電極幅が10ナノメートル（10´10-9m，原子約20層分）にまで縮小され，それ以上の高速化は困難となります。現在，Siデバイスの微細化限界の先に，どのようなデバイスがコンピュータやインターネットの発展を支えることができるのか，世界中で活発な研究が行われています。本研究室ではポストSiデバイスや次世代通信デバイスを見据え，InSb（インジュームアンチモン）などの化合物半導体を用いた次世代ナノ電子デバイスの研究を行っています。

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研究室のキーワード

化合物半導体，ヘテロ構造, ナノ構造， 超高速デバイス，高電子移動度トランジスタ(HEMT)，ナノデバイスシミュレーション，モンテカルロ法，分子線エピタキシー法(MBE)，走査型電子顕微鏡(STM)，ナノパターニング

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